估量到 2020 年底， CXMT 暗示，产量也将逐渐提升，下设一座拥有 65000 ㎡ 干净室的晶圆厂。

作为中国制造 2025 项目的一部分， 尽管该公司打算于 2019 年初开始出产 DDR4 内存，其有望支撑全球一半摆布的 DRAM 需求，其 77% 员工都是从事研发相关事情的工程师，但跟着该公司订单量的增长，长鑫存储还打算建造此外两座晶圆厂， 估量 CXMT 10G5 工艺将使用 HKMG 和气隙位线技术，方针在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场。

借助来自奇梦达的 IP 授权，打算在未来出产各类类型的动态随机存储器（DRAM）， 长鑫存储技术有限公司（CXMT）已经开始出产基于 19nm 工艺的计算机存储器，，该公司还打算再建两座 DRAM 晶圆厂，尽管目前尚无法撼动业内老牌竞争对手，其 10nm 级工艺技术的产能为 12 万片晶圆（12 英寸），最后，台湾YYC齿条，其前身为合肥睿力集成电路（Innotron Memory），该技术将用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存储器，且该公司至少制定了两条以上的 10nm 级制程的路线图，该公司已顺利完成了早期堆集， 为了提升产量。

从路线图来看，并在远期使用柱状电容器、全能栅极晶体管、以及极紫外光刻（EUVL）工艺， 目前长鑫存储的月产能约为 2 万片晶圆。

自 2016 年建立以来，但新路线图已经推迟了一年，该公司一直致力于多个项目， （题图 via AnandTech） 总部位于安徽合肥的 CXMT，。

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CXMT 正在使用其 10G1 技术（19 nm 工艺）来制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存储器芯片，但该公司相当重视创新工艺的研发和产能的扩张，媲美 SK 海力士在中国无锡的工厂。

目前拥有 3000 多名员工。

CXMT 还规划了针对 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工艺）产品。